Bandgap energy bowing parameter of strained and relaxed InGaN layers
Bandgap energy bowing parameter of strained and relaxed InGaN layers
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DOI：
10.1364/ome.4.001030
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发表时间：
2014-05-01
影响因子：
2.8
通讯作者：
Salvestrini, J. P.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Orsal, G.;El Gmili, Y.;Salvestrini, J. P.
本文重点研究了应变和松弛InxGa1-xN层的带隙能量弯曲参数的确定。样品通过金属有机气相外延生长在 GaN 模板衬底上，铟成分范围为 0
This paper focuses on the determination of the bandgap energy bowing parameter of strained and relaxed InxGa1-xN layers. Samples are grown by metal organic vapor phase epitaxy on GaN template substrate for indium compositions in the range of 0