阶梯AlGaN外延新型Al0:25Ga0:75N/GaN HEMTs击穿特性分析
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DOI：
10.7498/aps.63.057302
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
杨银堂
中科院分区：
文献类型：
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作者：
段宝兴;杨银堂
