炭素源をC2H4としたCVD法によるh-BN/グラフェン縦型ヘテロ構造作製
炭素源をC2H4としたCVD法によるh-BN/グラフェン縦型ヘテロ構造作製
复制标题
以C2H4为碳源CVD法制备h-BN/石墨烯垂直异质结
DOI：
--
复制
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
日比野 浩樹
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
中尾 拓登;川合 良知;友本 巧朗;横澤 翔太;日比野 浩樹
