Analytical formula for temperature dependence of resistivity in p-type 4H-SiC with wide-range doping concentrations
Analytical formula for temperature dependence of resistivity in p-type 4H-SiC with wide-range doping concentrations
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宽范围掺杂浓度 p 型 4H-SiC 电阻率温度依赖性的解析公式
DOI：
10.7567/jjap.57.088002
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发表时间：
2018
影响因子：
1.5
通讯作者：
J. Suda and T. Kimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Asada;J. Suda and T. Kimoto
