Sharp Fe/MgO/Ge(001) epitaxial heterostructures for tunneling junctions
Sharp Fe/MgO/Ge(001) epitaxial heterostructures for tunneling junctions
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用于隧道结的尖锐 Fe/MgO/Ge(001) 外延异质结构
DOI：
10.1063/1.3554834
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发表时间：
2011
影响因子：
3.2
通讯作者：
M. Varela
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Petti;M. Cantoni;C. Rinaldi;S. Brivio;R. Bertacco;J. Gázquez;M. Varela
本文报道了用分子束外延法生长Fe/MgO/Ge（001）异质结的研究。MgO/Ge界面的最低氧化和最高锐度对应于一个Ge晶胞数量级的过渡层，对于MgO层的室温生长随后在500 °C的真空中退火获得。在这些条件下，MgO层在Ge（001）上外延生长，[110]方向平行于Ge的[100]方向，这与Si（001）和GaAs（001）上的立方体叠立方体生长不同。然而，在某些情况下，MgO在Ge上的立方体对立方体生长模式与涉及45°旋转的模式竞争，如在300 °C下生长的MgO膜上的透射电子显微镜和光电子衍射数据所揭示的，而没有退火后，以及在p掺杂的Ge衬底上。对于Fe覆盖层，在所有报道的情况下，室温生长，然后退火至200 °C，产生了尖锐的界面和众所周知的Fe晶格相对于...
We report on the growth of epitaxial Fe/MgO/Ge(001) heterostructures by molecular beam epitaxy. The lowest oxidation and highest sharpness of the MgO/Ge interface, corresponding to a transition layer on the order of one Ge unit cell, is obtained for room temperature growth of the MgO layer followed by annealing in a vacuum at 500 °C. In these conditions, the MgO layer grows epitaxially on Ge(001) with the [110] direction parallel to the [100] direction of Ge, at variance with the cube-on-cube growth on Si(001) and GaAs(001). However, in some cases, the cube-on-cube growth mode of MgO on Ge competes with the mode involving a 45° rotation, as revealed by transmission electron microscopy and photoelectron diffraction data on MgO films grown at 300 °C without postannealing, and on p-doped Ge substrates. For the Fe overlayer, in all the cases reported, room temperature growth followed by annealing up to 200 °C gives rise to a sharp interface and the well-known 45° rotation of the Fe lattice with respect to the...
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
ECS trans
影响因子：
--
作者：
T. Nakayama;S. Sasaki;Y. Asayama
通讯作者：
Y. Asayama