A 0.13µm SiGe BiCMOS technology featuring fT/fmax of 240/330 GHz and gate delays below 3 ps
A 0.13µm SiGe BiCMOS technology featuring fT/fmax of 240/330 GHz and gate delays below 3 ps
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0.13μm SiGe BiCMOS 技术，fT/fmax 为 240/330 GHz，栅极延迟低于 3 ps
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Yamamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Rücker;B. Heinemann;W. Winkler;R. Barth;J. Borngräber;J. Drews;G. Fischer;A. Fox;T. Grabolla;U. Haak;D. Knoll;F. Korndörfer;A. Mai;S. Marschmeyer;P. Schley;D. Schmidt;J. Schmidt;M. Schubert;K. Schulz;B. Tillack;D. Wolansky;Y. Yamamoto
提出了一种用于毫米波应用的 0.13 µm SiGe BiCMOS 技术。该技术集成了高速 HBT（f<inf>T</inf>=240 GHz、f<inf>max</inf>=330 GHz、BV<inf>CEO</inf>=1.7 V）和高压 HBT（f<inf>T</inf>=50 GHz、f<inf>max</inf>=130 GHz、BV<inf>CEO</inf>=3.7 V）采用双栅极、三阱 RF-CMOS 工艺。演示了 2.9 ps 的环形振荡器门延迟、122 GHz 的低噪声放大器以及频率高于 200 GHz 的 LC 振荡器。
A 0.13 µm SiGe BiCMOS technology for millimeter wave applications is presented. This technology features high-speed HBTs (f<inf>T</inf>=240 GHz, f<inf>max</inf>=330 GHz, BV<inf>CEO</inf>=1.7 V) along with high-voltage HBTs (f<inf>T</inf>=50 GHz, f<inf>max</inf>=130 GHz, BV<inf>CEO</inf>=3.7 V) integrated in a dual-gate, triple-well RF-CMOS process. Ring oscillator gate delays of 2.9 ps, low-noise amplifiers for 122 GHz, and LC oscillators for frequencies above 200 GHz are demonstrated.