Non-equilibrium charge carriers generation — recombination mechanisms at the interface of the SnO2/GaSe heterojunction

Non-equilibrium charge carriers generation — recombination mechanisms at the interface of the SnO2/GaSe heterojunction
复制标题

DOI:
10.1016/j.tsf.2008.11.066
复制
发表时间:
2009-02
期刊:
影响因子:
2.1
通讯作者:
E. Cuculescu;I. Evtodiev;M. Caraman
E. Cuculescu;I. Evtodiev;M. Caraman
中科院分区:
材料科学3区
文献类型:
--
作者:
E. Cuculescu;I. Evtodiev;M. Caraman

文献摘要

被引文献

相似文献