Ultra-compact, low RF power, 10 gb/s silicon Mach-Zehnder modulator
Ultra-compact, low RF power, 10 gb/s silicon Mach-Zehnder modulator
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DOI：
10.1364/oe.15.017106
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发表时间：
2007-12-10
期刊：
影响因子：
3.8
通讯作者：
Vlasov, Yurii A.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Green, William M. J.;Rooks, Michael J.;Vlasov, Yurii A.
本发明提供了一种长度为100至200 μ m的超紧凑型硅p（+）-i-n（+）二极管马赫-曾德尔电光调制器。这些器件具有很高的调制效率，与V μ L的优值为0.36 V-mm。在数据速率高达10 Gb/s的光调制被证明只有5 pJ/位的低RF功耗。(C)2007年，美国光学学会。
Silicon p(+)-i-n(+) diode Mach-Zehnder electrooptic modulators having an ultra-compact length of 100 to 200 mu m are presented. These devices exhibit high modulation efficiency, with a V mu.L figure of merit of 0.36 V-mm. Optical modulation at data rates up to 10 Gb/s is demonstrated with low RF power consumption of only 5 pJ/bit. (C) 2007 Optical Society of America.