DIRECTIONAL ETCHING OF SI WITH PERFECT SELECTIVITY TO SIO2 USING AN ULTRACLEAN ELECTRON-CYCLOTRON RESONANCE PLASMA
DIRECTIONAL ETCHING OF SI WITH PERFECT SELECTIVITY TO SIO2 USING AN ULTRACLEAN ELECTRON-CYCLOTRON RESONANCE PLASMA
复制标题
DOI：
10.1063/1.103203
复制
发表时间：
1990-04-02
影响因子：
4
通讯作者：
YAMASHITA, Y
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
MATSUURA, T;UETAKE, H;YAMASHITA, Y
