The stress distribution and curvature of a general compositionally graded semiconductor layer
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DOI：
10.1016/0022-0248(93)90280-a
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发表时间：
1993-09
影响因子：
1.8
通讯作者：
L. Freud
中科院分区：
文献类型：
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作者：
L. Freud
