Formation of magnetite in bismuth ferrrite under voltage stressing

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DOI：
10.1063/1.2752724
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发表时间：
2007-06
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
通讯作者：
X. Lou;C. X. Yang;T. Tang;Yinyin Lin;Ming Zhang;J. Scott
X. Lou;C. X. Yang;T. Tang;Yinyin Lin;Ming Zhang;J. Scott
中科院分区：
物理与天体物理2区
文献类型：
--
作者：
X. Lou;C. X. Yang;T. Tang;Yinyin Lin;Ming Zhang;J. Scott

文献摘要

被引文献

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显微拉曼光谱研究表明，在700 kV的直流电压应力下，几秒钟，磁铁矿Fe 3 O 4形成在薄膜铁酸铋BiFeO 3中，可能是由于相分离。光谱上没有发现α-Fe_2O_3、γ-Fe_2O_3或Bi_2O_3的证据。这可能与BiFeO 3的磁化强度大小有关。
Micro-Raman studies show that under ∼700kV∕cm of dc voltage stressing for a few seconds, magnetite Fe3O4 forms in thin-film bismuth ferrite BiFeO3, probably due to phase separation. No evidence is found spectroscopically of hemite α-Fe2O3, maghemite γ-Fe2O3, or Bi2O3. This may relate to the controversy regarding the magnitude of magnetization in BiFeO3.