High-Rate Deposition of SiN_x Films over 100 nm/min by Cat-CVD Method at Low Temperatures below 80 ℃
High-Rate Deposition of SiN_x Films over 100 nm/min by Cat-CVD Method at Low Temperatures below 80 ℃
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80 ℃以下低温Cat-CVD法高速沉积SiN_x薄膜100 nm/min以上
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Osono et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Tachikawa;H.Kawabata;T.Osono et al.
催化化学气相沉积法制备高阻湿SiNx薄膜
影响因子：
1.5
作者：
A. Heya;Toshikazu Niki;Y. Yonezawa;T. Minamikawa;Susumu Muroi;A. Izumi;A. Masuda;H. Umemoto;H. Matsumura
通讯作者：
H. Matsumura