Heavy n- and p-type doping for polycrystalline Ge1-xSnx layers using pulsed laser annealing in water
Heavy n- and p-type doping for polycrystalline Ge1-xSnx layers using pulsed laser annealing in water
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使用水中脉冲激光退火对多晶 Ge1-xSnx 层进行重 n 型和 p 型掺杂
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Zaima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Takahashi;M. Kurosawa;H. Ikenoue;M. Sakashita;O. Nakatsuka;and S. Zaima
