IoTローカルデバイス向けCMOSプロセスとNAND型フラッシュプロセスで構成される1.0 V動作NAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路
IoTローカルデバイス向けCMOSプロセスとNAND型フラッシュプロセスで構成される1.0 V動作NAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路
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用于物联网本地设备的由 CMOS 工艺和 NAND 闪存工艺组成的 1.0 V 操作 NAND 闪存写入电压生成电路
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
竹内健
中科院分区：
文献类型：
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作者：
鶴見洸太;田中誠大;竹内健
