Design considerations of high-efficiency double-drift silicon IMPATT diodes
Design considerations of high-efficiency double-drift silicon IMPATT diodes
复制标题
高效双漂移硅IMPATT二极管的设计考虑
DOI：
10.1109/t-ed.1977.18798
复制
发表时间：
1977
影响因子：
3.1
通讯作者：
Chao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lang;Ding;Chao
提出了具有低-高-低掺杂分布结构的高效硅双漂移 IMPATT 二极管。通过数值计算预测，12 GHz 时器件的效率为 25%，18 GHz 时器件的效率为 24%，50 GHz 时器件的效率为 19%。
High-efficiency silicon double-drift IMPATT diodes with a low-high-low doping profile structure are proposed. Devices with efficiencies of 25 percent for 12 GHz, 24 percent for 18 GHz, and 19 percent for 50 GHz, are Predicted by numerical calculations.