Tunnel barrier thickness dependence of Hanle-type signals in CoFe/MgO/n-Si and CoFe/MgO/n-Ge junctions investigated through three-terminal configuration
Tunnel barrier thickness dependence of Hanle-type signals in CoFe/MgO/n-Si and CoFe/MgO/n-Ge junctions investigated through three-terminal configuration
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通过三端配置研究 CoFe/MgO/n-Si 和 CoFe/MgO/n-Ge 结中 Hanle 型信号的隧道势垒厚度依赖性
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Yamamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Uemura;G.-f. Li;J. Fujisawa;K. Kondo;K.-i. Matsuda;and M. Yamamoto
