“Column-By-Column” Compositional Mapping At Semiconductor Interfaces Using Z-Contrast Stem
“Column-By-Column” Compositional Mapping At Semiconductor Interfaces Using Z-Contrast Stem
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使用 Z-Contrast Stem 在半导体界面处进行“逐列”成分映射
DOI：
10.1557/proc-183-223
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发表时间：
1990
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Baribeau
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Jesson;S. Pennycook;J. Baribeau
提出了一种半导体界面原子分辨率成分映射的新策略。图像可以直接解释到 10% 以内，以提供逐列的成分信息，其灵敏度接近卢瑟福散射截面。我们应用该方法获得了超薄 (Si{sub m}Ge{sub n}){sub p} 超晶格中界面有序的第一张原子分辨率图像，并将结果归因于 (2 {times} 1) 和 (1 {times} 2) 重建表面上的生长。 13 个参考文献，7 个图。
A new strategy for atomic resolution compositional mapping at semiconductor interfaces is presented. Images can be interpreted directly to within 10% to give column-by-column compositional information with a sensitivity approaching Rutherford scattering cross sections. We apply the method to obtain the first atomic resolution images of interfacial ordering in ultrathin (Si{sub m}Ge{sub n}){sub p} superlattices and attribute the results to growth on (2 {times} 1) and (1 {times} 2) reconstructed surfaces. 13 refs., 7 figs.