Y.Azuma,N.Usami,T.Ujihara et al.: "Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by directly controlling the growth temperature at the crystal-melt interface using in-situ monitoring system"Journal of Crystal Growth. (In press). (2001)
Y.Azuma,N.Usami,T.Ujihara et al.: "Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by directly controlling the growth temperature at the crystal-melt interface using in-situ monitoring system"Journal of Crystal Growth. (In press). (2001)
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Y.Azuma、N.Usami、T.Ujihara 等人：“通过使用原位监控系统直接控制晶体-熔体界面的生长温度，生长具有均匀成分的 SiGe 块状晶体”《晶体生长杂志》。
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