GRIINEISEN PARAMETERS FOR SILICON CLATHRATES DETERMINED BY RAMAN SCATTERING
GRIINEISEN PARAMETERS FOR SILICON CLATHRATES DETERMINED BY RAMAN SCATTERING
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通过拉曼散射测定硅包合物的 GRIINEISEN 参数
DOI：
10.1103/physrevb.60.14507
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发表时间：
1999
影响因子：
3.7
通讯作者：
M. Pouchard
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Guyot;L. Grosvalet;B. Champagnon;E. Reny;C. Cros;M. Pouchard
