T.Cho et al.: "Development and characterization of semiconductor ion defectors for Plasma diagusitis in the ranpe over 0.3 heV" Peview of Scientific Instruments. 68巻1号. 324-327 (1997)
T.Cho et al.: "Development and characterization of semiconductor ion defectors for Plasma diagusitis in the ranpe over 0.3 heV" Peview of Scientific Instruments. 68巻1号. 324-327 (1997)
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T.Cho 等人：“0.3 heV 斜坡中的半导体离子缺陷器的开发和表征”科学仪器预览，第 68 卷，第 1. 324-327 期（1997 年）。
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