HVPE GaN and AIGaN 'Substrates' for Homoepitaxy
HVPE GaN and AIGaN 'Substrates' for Homoepitaxy
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HVPE GaN 和 AIGaN 同质外延“衬底”
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.1121
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发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
V. Dmitriev
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Melnik;A. Nikolaev;S. Stepanov;I. Kikitina;K. Vassilevski;A. Ankudinov;Y. Musikhin;V. Dmitriev
