A new partial SOI power device structure with P-type buried layer
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DOI：
10.1016/j.sse.2005.09.012
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发表时间：
2005-12
影响因子：
1.7
通讯作者：
B. Duan;Bo Zhang;Zhaoji Li
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B. Duan;Bo Zhang;Zhaoji Li
