Observation of resonant tunneling action in ZnO/Zn0.8Mg0.2O devices
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DOI：
10.1016/s0038-1101(02)00117-x
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发表时间：
2002-10
影响因子：
1.7
通讯作者：
S. Krishnamoorthy;A. Iliadis;A. Inumpudi;S. Choopun;R. Vispute;T. Venkatesan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Krishnamoorthy;A. Iliadis;A. Inumpudi;S. Choopun;R. Vispute;T. Venkatesan
