On the effect of quantum barrier thickness in the active region of nitride-based light emitting diodes
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DOI：
10.1016/j.sse.2014.04.041
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发表时间：
2014-09
影响因子：
1.7
通讯作者：
C. K. Wang;Y. Chiou;S. Chang;Cheng-Nan Chang;T. Chiang;T. Lin;Xin Li
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. K. Wang;Y. Chiou;S. Chang;Cheng-Nan Chang;T. Chiang;T. Lin;Xin Li
