Eiji Nagata, Nobuyoshi Takahashi, Yuri Yasuda, Takashi Inukai, Hiroki Ishikuro, and Toshiro Hiramoto: "Characteristic Distributions of Narrow Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor Memories with Silicon Nanocrystal Floating Gates"Japane
Eiji Nagata, Nobuyoshi Takahashi, Yuri Yasuda, Takashi Inukai, Hiroki Ishikuro, and Toshiro Hiramoto: "Characteristic Distributions of Narrow Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor Memories with Silicon Nanocrystal Floating Gates"Japane
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Eiji Nagata、Nobuyoshi Takahashi、Yuri Yasuda、Takashi Inukai、Hiroki Ishikuro 和 Toshiro Hiramoto：“具有硅纳米晶体浮栅的窄沟道金属氧化物半导体场效应晶体管存储器的特征分布”日本
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
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作者：
基于硅纳米晶的窄沟道MOSFET存储器的特性
影响因子：
1.5
作者：
Yi Shi;K. Saito;H. Ishikuro;T. Hiramoto
通讯作者：
T. Hiramoto