Metal-N-type semiconductor ohmic contact with a shallow N+ surface layer
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DOI：
10.1016/0038-1101(78)90349-0
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发表时间：
1978-09
影响因子：
1.7
通讯作者：
R. Popovic
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Popovic
