Control of GaN surface morphologies grown on 6H-SiC (0 0 0 1) using plasma-assisted molecular beam epitaxy
Control of GaN surface morphologies grown on 6H-SiC (0 0 0 1) using plasma-assisted molecular beam epitaxy
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使用等离子体辅助分子束外延控制 6H-SiC (0 0 0 1) 上生长的 GaN 表面形貌
DOI：
10.1016/s0022-0248(02)01588-9
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发表时间：
2002
影响因子：
1.8
通讯作者：
H. Okumura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Jeganathan;M. Shimuzu;T. Ide;H. Okumura
