Realizing high breakdown voltages (>600 V) in partial SOI technology
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DOI：
10.1016/j.sse.2004.04.005
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发表时间：
2004-09
影响因子：
1.7
通讯作者：
R. Tadikonda;S. Hardikar;E. Narayanan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Tadikonda;S. Hardikar;E. Narayanan
