nチャネル電力垂直二重拡散金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおけるイオン化放射線効果と高電界ストレス効果の比較
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DOI：
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发表时间：
2005
影响因子：
3.2
通讯作者：
Park M‐S;I. Na;R. WieC
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Park M‐S;I. Na;R. WieC
