Anri Nakajima: "Si single-electron tunneling transistor with nanoscale floating dot stacked on a Coulomb island by self-alined process"Journal of Vacuum Science & Technology B. 17巻5号. 2163-2172 (1999)
Anri Nakajima: "Si single-electron tunneling transistor with nanoscale floating dot stacked on a Coulomb island by self-alined process"Journal of Vacuum Science & Technology B. 17巻5号. 2163-2172 (1999)
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Anri Nakajima：“通过自对准工艺在库仑岛上堆叠纳米级浮点的硅单电子隧道晶体管”《真空科学与技术杂志》B. 第 17 卷，第 5 期。2163-2172 (1999)
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