32 GHz MMIC distributed amplifier based on n-channel SiGe MODFETs
32 GHz MMIC distributed amplifier based on n-channel SiGe MODFETs
复制标题
基于 n 通道 SiGe MODFET 的 32 GHz MMIC 分布式放大器
DOI：
10.1049/el:20030953
复制
发表时间：
2003
影响因子：
1.1
通讯作者：
H. Schumacher
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
P. Abele;M. Zeuner;I. Kallfass;J. Muller;H. L. Hiwilepo;T. Hackbarth;D. Chrastina;H. Känel;U. Konig;H. Schumacher
首次提出了基于n型Si/SiGe-MODFET的分布式放大器的制作方法。实现的放大器由六个相同的级组成，具有5.5 分贝的增益。该放大器的带宽为32 GHz。该频率下的增益纹波为±0.8 分贝。在输入和输出端的回波损耗均优于10 分贝。使用共面波导布局的放大器不需要通孔和背面处理。MMIC的尺寸为0.9×3.2 mm~2。
For the first time the fabrication of a distributed amplifier based on n-type Si/SiGe-MODFETs is presented. The realised amplifier consists of six identical stages and has a gain of 5.5 dB. The bandwidth of this amplifier is 32 GHz. The gain ripple up to this frequency is ±0.8 dB. The return losses at the input and output are better than 10 dB. Using a coplanar waveguide layout for the amplifier no via-holes and backside processing is needed. The MMIC has a size of 0.9×3.2 mm2.