イオン注入成長法で作製した圧縮歪みSi/Si1-xCx/Si(001)構造MOSFETの電気特性評価
イオン注入成長法で作製した圧縮歪みSi/Si1-xCx/Si(001)構造MOSFETの電気特性評価
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离子注入生长法制造的压应变Si/Si1-xCx/Si(001) MOSFET的电特性评估
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
澤野憲太郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
中込諒;酒井翔一朗;藤原幸亮;有元圭介;山中淳二;中川清和;宇佐美徳隆;星裕介;澤野憲太郎
