Weak ferroelectric charge transfer in layer-asymmetric bilayers of 2D semiconductors.
Weak ferroelectric charge transfer in layer-asymmetric bilayers of 2D semiconductors.
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DOI：
10.1038/s41598-021-92710-1
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发表时间：
2021-06-28
影响因子：
4.6
通讯作者：
Magorrian SJ
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ferreira F;Enaldiev VV;Fal'ko VI;Magorrian SJ
在具有缺乏反转对称性的堆积结构的二维半导体双层膜中，由于层-带间不对称杂化作用，层与层之间的电荷转移会产生层与层之间的势差。我们分析了过渡金属二卤化物(TMD)的双层膜，特别是TMD的双层膜，对于TMD，我们发现了与堆积有关的电荷转移，而对于INSE，我们发现电荷转移是可以忽略不计的。关于TMD的信息随后被用来映射双离子双层中通过莫尔超晶格的层间电荷转移所产生的势。
In bilayers of two-dimensional semiconductors with stacking arrangements which lack inversion symmetry charge transfer between the layers due to layer-asymmetric interband hybridisation can generate a potential difference between the layers. We analyse bilayers of transition metal dichalcogenides (TMDs)—in particular, —for which we find a substantial stacking-dependent charge transfer, and InSe, for which the charge transfer is found to be negligibly small. The information obtained about TMDs is then used to map potentials generated by the interlayer charge transfer across the moiré superlattice in twistronic bilayers.
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