Characterization of Si(100)/HfSiON interface

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Si(100)/HfSiON 界面的表征

DOI:
10.1016/j.nimb.2004.01.175
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发表时间:
2004
影响因子:
1.3
通讯作者:
M. Takenaka
M. Takenaka
中科院分区:
物理与天体物理4区
文献类型:
--
作者:
Masamichi Suzuki;A. Takashima;M. Koyama;R. Iijima;T. Ino;M. Takenaka

文献摘要

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