Shallow donors in GaN—The binding energy and the electron effective mass
Shallow donors in GaN—The binding energy and the electron effective mass
复制标题
GaN 中的浅施主——结合能和电子有效质量
DOI：
10.1016/0038-1098(95)00337-1
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发表时间：
1995
影响因子：
2.1
通讯作者：
I. Akasaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B. Meyer;D. Volm;A. Graber;H. Alt;T. Detchprohm;A. Amano;I. Akasaki
