Carrier relaxation of modulation-doped InAs/GaAs quantum dots
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DOI：
10.1016/s1386-9477(02)00513-1
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发表时间：
2002-10
影响因子：
3.3
通讯作者：
J. Lee;J. Leem;H. Lee
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Lee;J. Leem;H. Lee
