Tunneling coefficient for GaN Schottky barrier diodes
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DOI：
10.1016/j.sse.2011.04.016
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发表时间：
2011-08
影响因子：
1.7
通讯作者：
A. M. Ozbek;B. Baliga
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. M. Ozbek;B. Baliga
