強光子場中のSi(111)表面における励起電子の緩和ダイナミクス
強光子場中のSi(111)表面における励起電子の緩和ダイナミクス
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强光子场中Si(111)表面激发电子的弛豫动力学
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
藤正修司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
保田英洋;今村真幸;藤正修司
