High-k/SiO2界面のダイポール層形成メカニズムの考察 －多重極子誘起酸素移動モデルの提案－
High-k/SiO2界面のダイポール層形成メカニズムの考察 －多重極子誘起酸素移動モデルの提案－
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高k/SiO2界面偶极层形成机制的思考 - 多极诱导氧转移模型的提出 -
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期刊：
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通讯作者：
志村昂亮，栗山亮，橋口誠広，高橋隆介，小椋厚志，佐藤真一，渡邉孝信
中科院分区：
文献类型：
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作者：
図師 知文;志村 昂亮;大毛利 健治;山田 啓作 ;渡邉 孝信;土門武，石塚智史，秋山了太，金澤研，黒田眞司;渡邉孝信;及川晴義，秋山了太，百瀬峻，黒田眞司;志村昂亮，栗山亮，橋口誠広，高橋隆介，小椋厚志，佐藤真一，渡邉孝信
