Growth of high-quality 4H-SiC epitaxial layers on 4° off-axis C-face 4H-SiC substrates
Growth of high-quality 4H-SiC epitaxial layers on 4° off-axis C-face 4H-SiC substrates
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在 4° 离轴 C 面 4H-SiC 衬底上生长高质量 4H-SiC 外延层
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2019.125355
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发表时间：
2020
影响因子：
1.8
通讯作者：
Li Zhonghui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhifei Zhao;Yun Li;Xia Xia;Wang Yi;P. Zhou;Li Zhonghui
