Coherent phonon spectroscopy of GaP Schottky diode
Coherent phonon spectroscopy of GaP Schottky diode
复制标题
GaP肖特基二极管的相干声子光谱
DOI：
10.1063/1.1560874
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发表时间：
2003
影响因子：
4
通讯作者：
Yu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yu
GaP 肖特基二极管中的相干纵向光学和声学声子是通过时间分辨的二次谐波产生脉冲产生和检测的。在 GaP 的近表面耗尽区发射相干纵向光学 (LO) 声子。这种相干 LO 声子的移相时间约为 10 ps，主要是由于非谐波衰减为两个区边缘半能纵向声子 (LA)。同时，通过金属薄层中的瞬态热吸收，在金属-半导体界面中产生相干 LA 波包。该声波包以 GaP LA 声子的声速 ∼5.8×105cm/s 传播到体中。
Coherent longitudinal optical and acoustic phonons in GaP Schottky diode are impulsively generated and detected with time-resolved second-harmonic generation. A coherent longitudinal optical (LO) phonon is launched in the near-surface depletion region of GaP. The dephasing time of this coherent LO phonon is ∼10 ps and mainly due to the anharmonic decay into two zone-edge half-energy longitudinal acoustic (LA) phonons. Simultaneously, a coherent LA wave packet is created in the metal–semiconductor interface via transient thermal absorption in the metal thin layer. This acoustic wave packet propagates into the bulk with the sound velocity ∼5.8×105 cm/s of a GaP LA phonon.