The Nitrogen Isoelectronic Trap in GaAs
The Nitrogen Isoelectronic Trap in GaAs
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GaAs 中的氮等电子陷阱
DOI：
10.1007/978-1-4615-7682-2_138
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发表时间：
1985
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Thompson
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Wolford;J. Bradley;K. Fry;J. Thompson
我们报告了 GaAs 中 5°K 压力下诱导的 N 等电子陷阱的 PL、PLES 和共振 PL。孤立 N 的激子 A 和 B 跃迁在 22 kbar 以上的间隙中形成，并表现出类似于 GaP:N 的强波矢无关声子合作。水平随压力的变化而变化，与附近的带边缘无关，从而展示了“深层行为”。这些束缚态源自 Γ1 边缘上方 150-180 meV 的局部共振。
We report PL, PLES, and resonant PL from N isoelectronic traps induced under pressure at 5°K in GaAs. Exciton A and B transitions of isolated N form in the gap above 22 kbar and show strong wavevector-independent phonon cooperation resembling GaP:N. Levels vary with pressure independently of nearby bandedges, thus demonstrating “deep-level behavior.” These bound states derive from a localized resonance 150–180 meV above the Γ1edge.