ZnO: growth, doping & processing
ZnO: growth, doping & processing
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DOI：
10.1016/s1369-7021(04)00287-1
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发表时间：
2004-06-01
期刊：
影响因子：
24.2
通讯作者：
Steiner, T.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Norton, D. P.;Heo, Y. W.;Steiner, T.
本文综述了在改进氧化锌（ZnO）器件的生长、掺杂和制造工艺控制方面的最新成果，这些器件可能应用于紫外（UV）发光器、自旋功能器件、气体传感器、透明电子器件和表面声波器件。氧化锌可以在相对较低的温度下在玻璃等廉价衬底上生长，并且在其中一些应用中可能比氮化镓（GaN）系统具有优势。
A review is given here of recent results in developing improved control of growth, doping, and fabrication processes for ZnO devices with possible applications to ultraviolet (UV) light emitters, spin functional devices, gas sensors, transparent electronics, and surface acoustic wave devices. ZnO can be grown on cheap substrates such as glass at relatively low temperatures and may have advantages over the GaN system in some of these applications.