Material potential and scalability challenges of germanium CMOS

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DOI：
10.1109/iedm.2011.6131631
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发表时间：
2011-12
期刊：
2011 International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
通讯作者：
A. Toriumi;C. H. Lee;S. K. Wang;T. Tabata;M. Yoshida;D. Zhao;T. Nishimura;K. Kita;K. Nagashio
A. Toriumi;C. H. Lee;S. K. Wang;T. Tabata;M. Yoshida;D. Zhao;T. Nishimura;K. Kita;K. Nagashio
中科院分区：
其他
文献类型：
--
作者：
A. Toriumi;C. H. Lee;S. K. Wang;T. Tabata;M. Yoshida;D. Zhao;T. Nishimura;K. Kita;K. Nagashio

文献摘要

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