A Partial-Ground-Plane (PGP) Silicon-on-Insulator (SOI) Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) for Deep Sub-0.1-µm Channel Regime
A Partial-Ground-Plane (PGP) Silicon-on-Insulator (SOI) Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) for Deep Sub-0.1-µm Channel Regime
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适用于深亚 0.1 µm 沟道机制的部分接地层 (PGP) 绝缘体上硅 (SOI) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
DOI：
10.1143/jjap.40.2887
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发表时间：
2001
影响因子：
1.5
通讯作者：
Y. Omura
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Yanagi;A. Nakakubo;Y. Omura
绝缘体上硅（SOI）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）提供了优于常规体硅晶体管的许多优点。在本文中，我们提出了一种新的SOI器件结构，称为“部分接地平面”SOI MOSFET的沟道长度下降到50 nm。这种新器件具有很好的短沟道效应抑制能力和很小的亚阈值摆幅，并具有很好的驱动能力和很低的漏电流。
Silicon-on-insulator (SOI) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) offers a number of advantages over conventional bulk silicon transistors. In this paper, we present a new SOI device structure called a “partial-ground-plane” SOI MOSFET down to 50 nm channel length. This new device shows good suppression of short-channel effect together with a small subthreshold swing and has a good driveability with a low leakage current.