Setting limits on the accuracy of X-ray determination of Al concentration in {AlGaAs}/{GaAs} epitaxial layers
Setting limits on the accuracy of X-ray determination of Al concentration in {AlGaAs}/{GaAs} epitaxial layers
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对 {AlGaAs}/{GaAs} 外延层中 Al 浓度的 X 射线测定精度设置限制
DOI：
10.1016/s0022-0248(96)00733-6
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发表时间：
1997
影响因子：
1.8
通讯作者：
V. Moore
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
I. Bassignana;D. Macquistan;R. Streater;G. Hillier;R. Packwood;V. Moore
H.Noge：半绝缘 [III]-[V] 材料，箱根 531-536 (1986)。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：
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