Evaluating MOSFET harmonic distortion by successive integration of the I–V characteristics
Evaluating MOSFET harmonic distortion by successive integration of the I–V characteristics
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通过连续积分 I-V 特性来评估 MOSFET 谐波失真
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. J. Liou
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Salazar;A. Ortiz;F. García;Ching;J. J. Liou
