Microstructures of semiconducting silicide layers grown by novel growth techniques
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DOI：
10.1016/j.tsf.2004.02.061
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发表时间：
2004-08
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
H. Tatsuoka;N. Takagi;S. Okaya;Yusei Sato;T. Inaba;T. Ohishi;A. Yamamoto;T. Matsuyama;H. Kuwabara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Tatsuoka;N. Takagi;S. Okaya;Yusei Sato;T. Inaba;T. Ohishi;A. Yamamoto;T. Matsuyama;H. Kuwabara
