170 GHz Photodiodes for InP-based photonic integrated circuits
170 GHz Photodiodes for InP-based photonic integrated circuits
复制标题
用于 InP 基光子集成电路的 170 GHz 光电二极管
DOI：
--
复制
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A. Seeds
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
E. Rouvalis;M. Cthioui;F. van Dijk;M. Fice;G. Carpintero;C. Renaud;A. Seeds
设计、制作和表征了适用于多种基于多量子阱(MQW)器件的主被动单片集成的超快单行载流子光电二极管(UTC-PD)。这些设备实现了高达170 GHz的3分贝带宽。
Ultra-Fast Uni-Traveling Carrier Photodiodes (UTC-PDs) suitable for active-passive monolithic integration with various Multiple Quantum Well (MQW)-based devices have been designed, fabricated and characterized. The devices achieved a 3-dB bandwidth of up to 170 GHz.