Device design and manufacturing issues for 10 nm-scale MOSFETs: a computational study
Device design and manufacturing issues for 10 nm-scale MOSFETs: a computational study
复制标题
10 nm 级 MOSFET 的器件设计和制造问题：计算研究
DOI：
10.1016/j.sse.2003.12.022
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发表时间：
2004
影响因子：
1.7
通讯作者：
M. Lundstrom
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Hasan;Jing Wang;M. Lundstrom
